Transistor, también conocido como un transistor de ensambladura bipolar, el equivalente de dos ensambladura del PN diodo adosado mutuamente. Diagonal EB nudo los orificios delanteros de inyectado de la región de emisor, durante el cual la mayoría de los límites del agujero para alcanzar el colector y el CB en barrera de cruce diagonal inversa bajo la acción del campo eléctrico llega a la región de colector, forman el colector actual IC. En el circuito de transistor de emisor común, lanza en el circuito base es racing para sesgar el voltaje de caída es muy pequeña.
500 ω colector allí es una caída de tensión en la resistencia de carga VRC = 10mA * 500 ω = 5V, el transistor de tensión entre colector y emisor para VCE = 5 v, si una base alterna de apilamiento en el circuito de polarización por IB corriente pequeña, en el circuito de colector aparece una corriente alterna correspondiente IC, c/IB = beta, transistor bipolar #39; amplificación actual s se realiza.
La mayoría del colector diagonal el voltaje entre el emisor y en el reverso colector sesgado. Ya que es muy pequeño, así que la base actual es aproximadamente IB VBE = 5V / 50k ω = 0.1mA. Si el transistor #39; emisor s actual amplificación coeficiente β = IC/IB = 100, IC corriente de colector = beta * IB = 10mA.